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Pioniertat! Infineon krempelt die Halbleiterbranche um

Quelle: dpa 1 min Lesedauer

Ein Durchbruch bei der Fertigung von Halbleitern auf Galliumnitrid-Basis soll Infineon bald enorme Kostenvorteile bei der Produktion der entsprechenden Bauteile bieten.

Infineon meldet einen echten Durchbruch bei der Herstellung von Galliumnitrid-Wafern (GaN). Denn bisher war der Durchmesser der Scheiben auf maximal 200 Millimeter begrenzt. Jetzt hat man ordentlich zulegen können. Das mache Infineon nun einzigartig.(Bild: Infineon)
Infineon meldet einen echten Durchbruch bei der Herstellung von Galliumnitrid-Wafern (GaN). Denn bisher war der Durchmesser der Scheiben auf maximal 200 Millimeter begrenzt. Jetzt hat man ordentlich zulegen können. Das mache Infineon nun einzigartig.
(Bild: Infineon)

Konkret ist es den Neubiberger gelungen, das Halbleitermaterial auf 300 Millimeter messende Scheiben (Wafern) zu fertigen. Wie Infineon betont, kann das bisher kein anderer. Nun hofft man auf ein ordentliches Wachstum bei diesen Bauteilen, die unter anderem für Ladegeräte wichtig sind. Aber auch bei KI-Servern (künstliche Intelligenz), in Solaranlagen oder im Rahmen der Elektromobilität spielt das Material eine wichtige Rolle. Dieser Erfolg werde die Halbleiterbranche verändern. Auch wenn einige Wettbewerber es bisher immerhin auf 150 Millimetern schaffen und jetzt erst auf 200 Millimeter skalieren wollen, wo Infineon schon liegt. Der Unterschied ist außerdem größer als er auf den ersten Blick scheint. Denn aus einem 300-Millimeter-Wafer lassen sich 2,3-mal so viele Halbleiter herstellen wie aus einer 200-Millimeter-Scheibe.

Infineon hofft auf profitable GaN-Zukunft

Die 300-Millimeter-Fertigung eröffnet demnach neue Dimensionen in Sachen Produktivität und damit bei den Kosten, heißt es weiter. Infineon profitiere dabei auch davon, dass man die größeren Galliumnitdrid-Wafer (GaN) nach einigen spezifischen Schritten auf den bestehenden Anlagen für Silizium laufen lassen könne. Das hat noch weiter sein Gutes, denn die GaN-Marktpreise werden sich in den kommenden Jahren den Siliziumpreisen annähern, so Infineon. Die größeren Wafer würden diesen Trend nur beschleunigen und die Nachfrage nach GaN fördern.

Geschafft! Obwohl die Spannung steigt ...

Entstehen soll die Fertigung, die in den kommenden Jahren hochgefahren wird, am österreichischen Standort Villach, wo auch die Entwicklung abgelaufen ist. Die neue Entwicklung war außerdem nicht einfach war, denn das Galliumnitrid wächst auf einer klassischen Silizium-Scheibe. Das ist nicht trivial, weil beide Materialien von ihrer Kristallstruktur her eigentlich nicht zueinanderpassen. Und je größer die Scheibe ist, desto höher wird die Spannung in ihrer Kristallstruktur. Bei einem 300 Millimeter-Wafer entspricht die Belastung etwa vier Elefanten auf einer 1-Cent-Münze.

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